氮化物半导体外延片

什么是氮化物半导体外延片?

使用氮化物半导体的功率器件有望成为支持未来低碳社会的绿色器件。
NTT-AT以其氮化物半导体外延片制造技术为早日实现节能做出了贡献。

以氮化镓 (GaN) 为代表的氮化物半导体有望成为下一代功率器件，因为它能够以高功率，高耐压，高频和低损耗的方式工作，超出了目前广泛使用的Si功率器件的极限。

它具有在硅 (Si) ，蓝宝石 (Al 2 O 3) ，硅碳化物 (SiC) ，氮化镓 (GaN) 基板上晶体生长的技术，并且可以用于氮化物系统中使用的所有基板。同时进行使用多种基板品种的开发探讨。不浪费客人宝贵的时间。
从少量的试制到量产，我们都承接。
也支持大口径8英寸硅基板。通过与本公司相关部门的合作，还可以进行设备制造和材料分析。

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Part Number	GaN cap	AlGaN Barrier		AlN	Channel
Part Number	GaN cap	Content	Thickness	Spacer	Channel
SEE61K22227S20G	2nm	0.22	27nm	1nm	200nm
SEE61K22227S30G	2nm	0.22	27nm	1nm	300nm
SEE61K22515S30G	2nm	0.25	15nm	1nm	300nm
SEE61K22520S30G	2nm	0.25	20nm	1nm	300nm
SEE61K22525S30G	2nm	0.25	25nm	1nm	300nm
SEE61K23020S30G	2nm	0.30	20nm	1nm	300nm
SEE61K21745N30G	2nm	0.17	45nm	-	300nm
SEE61K22520N30G	2nm	0.25	20nm	-	300nm
SEE61K22520N35G	2nm	0.25	20nm	-	350nm
SEE61K22520N40G	2nm	0.25	20nm	-	400nm
SEE61K22526N15G	2nm	0.25	26nm	-	150nm
SEE61K22526N20G	2nm	0.25	26nm	-	200nm
SEE61K22526N35G	2nm	0.25	26nm	-	350nm
SEE61K22527N35G	2nm	0.25	27nm	-	350nm
SEE61K23020N30G	2nm	0.30	20nm	-	300nm
SEE61K02822S30G	-	0.28	22nm	1nm	300nm

Cap Layer
Material	GaN
Thickness	2 (nm) or No cap
Barrier
Material	AlGaN
Al content	20~30 (%)
Thickness	15~ 27 (nm)
Channel
Material	GaN
Thickness	150~400 (nm)
Buffer
Doping	C-doping
Thickness	~3900 (nm)
Substrate
Silicon	1mm thickness
Features
薄层电阻：350~400 ohm/sq. (w/ AlN spacer), 450~500 ohm/sq. (w/o AlN spacer) 电子迁移率：~1700 至 1900 ^cm2 /Vs FWHM (002)：<800 弧秒 FWHM (102)：<1400 弧秒击穿电压：800V – 1000V（取决于器件结构）弯曲值：< 50um

Cap Layer	Material: GaN
	doped or un-doped
	Thickness: 0~5 nm
Barrier Layer	Material: AlGaN with or without AlN spacer
	doped or un-doped
	Al-content:10~50%
	厚度：<~50nm
Buffer Layer	Material: (Al)GaN
Buffer Layer	Thickness: 1~3 μm
Substrate	Si	Sapphire	SiC	GaN
Substrate	2~8 inch	2~3 inch	2～6 inch	2~4 inch

InAlN/GaN HEMT外延片目录	824KB	PDF下载
GaN EPITAXIAL WAFERS目录 (英文)	3.8MB	PDF下载

资料《有望提升器件制造良率——均匀性极佳的8英寸AlGaN/GaN外延片》
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