全反射荧光X射线分析TXRF

为了防止半导体制造过程中的污染
半导体制造中清洁度决定了产品的品质，所以生产过程中的污染检测非常重要
所以需要可以快速的，高精度的，检测出多种元素的分析方法很重要。

为了防止半导体制造过程中的污染

半导体制造中清洁度决定了产品的品质，所以生产过程中的污染检测非常重要所以需要可以快速的，高精度的，检测出多种元素的分析方法很重要。

检测品收到后的1-2个工作日内可以完成检测

精度达到10⁹atoms/cm²
是非破坏・非接触检测，不需要繁杂的前序处理，减少污染
通过取定点来分析，可以确定污染部位。

可同时分析多种元素。（※）
还支持不同种类的彻底（蓝宝石、GaAs、玻璃）和带膜衬底（有机膜、金属膜等）的检测
※其他小尺寸的也可以具体咨询

2英寸～12英寸都可以检测

※可检测元素也有限制，具体请咨询我们。

图1 装置概要

可以进行高精度，多元素分析的原因是有3种beam
因为有3个种类的X射线源（3种beam），W beam无法测出的钠（Na）、钼（Mo）等元素也可以检测。

图2 全反射荧光X射线分析的检测下限值（硅晶圆）

同一种元素可以用不同的beam检测，根据不同精度及干扰度来选择最适合的beam。

具体关于可测定的元素请咨询我们。

Cr Beam	Na～Ti及Ga～Ba （特别是对Na～Al、P效果更好）
W beam	Al～Zn及びAs～Hf　（特别是对K～Zn效果更好）
Ag beam	S～U　（特别是对As、Zr、Mo、Ta、W、Br、Pt、Au效果更好）

SiC 衬底表面的金属污染测定实例