外延片 / 衬底表面极微量金属污染分析

以第三代半导体SiC（碳化硅）为基础设备的电子器件，是支撑新基建中5G基建，新能源汽车充电桩，特高压及轨道交通四大领域的关键核心。SiC衬底外延片的表面干净程度极大地影响了器件的性能，所以保持外延片表面干净成为重要的课题。我司可提供各种分析服务，例如极微量金属污染的全反射荧光X射线分析（TXRF）和电感耦合性等离子体质量分析（ICP-MS）可迅速的分析服务，可以迅速高效的测试表面金属污染程度。

晶圆全面污染元素mapping（Sweeping-TXRF）

全反射荧光X射线分析实用例
通过详细的图解来了解晶圆的污染分布

ICP质量分析（ICP-MS）

ICP-MS可以分析水溶液中的极微量金属・非金属元素

全反射荧光X射线分析TXRF

为了防止半导体制造过程中的污染
半导体制造中清洁度决定了产品的品质，所以生产过程中的污染检测非常重要
所以需要可以快速的，高精度的，检测出多种元素的分析方法很重要。